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產(chǎn)品型號(hào)：STGC-80-12

爐管尺寸：Φ80×1000mm

額定溫度：1200℃

控溫精度：±1℃

應(yīng)用領(lǐng)域：化學(xué)氣相沉積(CVD)是指化學(xué)氣體或蒸汽在基質(zhì)表面反應(yīng)合成涂層或納米材料的方法，是半導(dǎo)體工業(yè)中用來沉積多種材料的技術(shù)，包括大范圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料

產(chǎn)品型號(hào)：STGP-80-12

爐膛尺寸：Φ80x1200mm

額定溫度：1200℃

控溫精度：±1℃

應(yīng)用領(lǐng)域：PECVD系統(tǒng)（等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)）由管式爐、真空獲得、流量控制和射頻電源四大模塊組成， 本設(shè)備借助13.56Mhz的射頻輸出使含有薄膜組成原子的氣體電離，在真空腔體內(nèi)形成等離子體，利用等離子的強(qiáng)化學(xué)活性，改善反應(yīng)條件，使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)薄膜材料生長(zhǎng)的一種新的制備技術(shù)，得到基片上沉積出所期望的薄膜，適用于1200℃條件下進(jìn)行SiO2、SiNx薄膜的沉積。